NCS21802MUTBG onsemi Operationsverstärker Oberfläche 1.5 MHz DFN, biplor typ. 5.5 V, biplor typ. 1.8 V, 8-Pin AEC-Q100
- RS Best.-Nr.:
- 229-6388
- Herst. Teile-Nr.:
- NCS21802MUTBG
- Marke:
- onsemi
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- Herst. Teile-Nr.:
- NCS21802MUTBG
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Operationsverstärker | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Anzahl der Kanäle | 2 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP | 1.5MHz | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.8V | |
| Eingangsruhestrom | 200 pA | |
| Slew Rate | 0.7V/μs | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | 13 μV | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Serie | NCS21802 | |
| Breite | 2 mm | |
| Höhe | 0.5mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 2mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Ausgangsstrom | 32mA | |
| Offset-Eingangsstrom | 300 pA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Operationsverstärker | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Anzahl der Kanäle 2 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP 1.5MHz | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.8V | ||
Eingangsruhestrom 200 pA | ||
Slew Rate 0.7V/μs | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung 13 μV | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Serie NCS21802 | ||
Breite 2 mm | ||
Höhe 0.5mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 2mm | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Ausgangsstrom 32mA | ||
Offset-Eingangsstrom 300 pA | ||
Die on Semiconductor Präzisions-Operationsverstärker mit niedriger Eingangs-Offsetspannung und niedriger Offset-Drift über Zeit und Temperatur. Der Gleichtakt-Spannungsbereich erstreckt sich über 100 mV über die Versorgungsschienen hinaus, wodurch er sowohl für Hochspannungs- als auch für Niederspannungsseiten-Stromerfassungsanwendungen geeignet ist.
Höhere Signalverarbeitungsgenauigkeit
Höhere Genauigkeit über Zeit und Temperatur
Integrierte EMI-Filter
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