Microchip Operationsverstärker Oberfläche 10 MHz MSOP, biplor typ. 5.5V, biplor typ. 5.5 V, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 242-5146P
- Herst. Teile-Nr.:
- MCP6V97-E/MS
- Marke:
- Microchip
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- MCP6V97-E/MS
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- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Operationsverstärker | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | MSOP | |
| Anzahl der Kanäle | 2 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP | 10MHz | |
| Minimale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | 25 μV | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Slew Rate | 9.5V/μs | |
| Eingangsruhestrom | ±2 pA | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Länge | 3mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Serie | MCP6V97 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Ausgangsstrom | 30mA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Offset-Eingangsstrom | ±100 pA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Operationsverstärker | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße MSOP | ||
Anzahl der Kanäle 2 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP 10MHz | ||
Minimale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung 25 μV | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Slew Rate 9.5V/μs | ||
Eingangsruhestrom ±2 pA | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Länge 3mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Serie MCP6V97 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Ausgangsstrom 30mA | ||
Automobilstandard Nein | ||
Offset-Eingangsstrom ±100 pA | ||
Die Microchip MCP6V96/6U/7/9-Familie von Operationsverstärkern bietet eine Eingangs-Offset-Spannungskorrektur für sehr geringe Offset- und Offset-Drift. Diese Geräte bieten ein Verstärkungs-Bandbreite-Produkt von 10 MHz, sind unity gain-stabil, haben kein 1/f-Rauschen und bieten eine überlegene CMRR- und PSRR-Leistung. Diese Produkte arbeiten mit einer einzigen Versorgungsspannung von nur 2,4 V und einem maximalen Ruhestrom von nur 1,6 mA pro Kanal.
Zero-Drift-Architektur
Maximaler Versatz von nur 25 uV
Maximale Offset-Abweichung von 150 nV/C.
Verbesserte EMI-Unterdrückung
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