STMicroelectronics Operationsverstärker Oberfläche 3.1 MHz SO-8, biplor typ. 36 V, biplor typ. 36 V, 8-Pin AEC-Q2,

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RS Best.-Nr.:
261-4765
Herst. Teile-Nr.:
TSB582IYDT
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

Operationsverstärker

Montageart

Oberfläche

Gehäusegröße

SO-8

Anzahl der Kanäle

6

Pinanzahl

8

Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP

3.1MHz

Minimale Versorgungsspannung

36V

Maximale Versorgungsspannung

36V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Vos - Eingangs-Offsetspannung

2.4 mV

Eingangsruhestrom

5 nA

Slew Rate

2V/μs

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Normen/Zulassungen

No

Serie

TSB582

Automobilstandard

AEC-Q2, AEC-Q100, AEC-Q3, AEC-Q1

Ausgangsstrom

200mA

Ursprungsland:
CN

200 mA Ausgangsstrom mit thermischer Abschaltung und Ausgangsstrombegrenzung, 3,1 MHz, 36 V, BiCMOS-Doppeloperationsverstärker


TSB582 ist ein stabiler Dual-Operationsverstärker mit Verstärkungsfaktor Eins, der sowohl für hohe Spannungen als auch für hohe Ströme geeignet ist und über interne Schutzvorrichtungen gegen Übertemperatur und Stromüberlastung verfügt. Darüber hinaus verfügt TSB582 über eine verbesserte ESD- und RF-Störfestigkeit.

Das Produkt gibt typischerweise bis zu 200 mA pro Kanal aus, um niederohmige induktive Lasten wie Winkelresolver, Lineout-Kabel und Piezoaktoren zu treiben.

Die beiden Hochstrom-Ausgangsverstärker des TSB582 bieten den Vorteil, dass sie Lasten direkt in Brückenschaltung ansteuern können oder, parallel geschaltet, eine Verdopplung des Ausgangsstroms ermöglichen. Darüber hinaus ist TSB582 in zwei platzsparenden Gehäusen erhältlich: SO8 mit offenem Pad und DFN8 mit benetzbaren Flanken und offenem Pad. Beide sind für Automobilanwendungen in einem Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C geeignet.

Hauptmerkmale


  • Breite Versorgungsspannung: 4 V bis 36 V

  • Hoher Ausgangsstrom 200 mA

  • Rail-to-Rail-Ausgang, Low-Rail-Eingang

  • Verstärkungsbandbreite Produkt: 3.1 MHz

  • Hohe Anstiegsrate: 2 V/μs

  • Interne thermische Abschaltung und Ausgangsstrombegrenzer

  • Verbesserte RF-Rauschimmunität

  • Hohe ESD-Toleranz: 4 kV HBM

  • Erweiterter Temperaturbereich: -40 °C bis 125 °C

  • Automotive-Qualität

  • Geringes Rauschen 45 nV/√Hz @ 1 kHz

  • Icc (typ.) = 2,3 mA

  • Einheitsverstärkung stabil

  • Niedriger Offset 2,4 mV max. (25 °C)/3 mV max. (voller Temperaturbereich)

  • Niedriger Eingangsvorspannungsstrom

  • Gehäuse: SO8 & DFN8 freiliegendes Pad

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