LM324NE3 Texas Instruments Operationsverstärker Durchsteckmontage 1.2 MHz PDIP, biplor typ. 36 V, biplor typ. 32 V,
- RS Best.-Nr.:
- 268-7510
- Herst. Teile-Nr.:
- LM324NE3
- Marke:
- Texas Instruments
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- RS Best.-Nr.:
- 268-7510
- Herst. Teile-Nr.:
- LM324NE3
- Marke:
- Texas Instruments
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Produkt Typ | Operationsverstärker | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Gehäusegröße | PDIP | |
| Anzahl der Kanäle | 4 | |
| Pinanzahl | 14 | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP | 1.2MHz | |
| Minimale Versorgungsspannung | 32V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 36V | |
| Slew Rate | 0.5V/μs | |
| Betriebstemperatur min. | 0°C | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | ±2 mV | |
| Eingangsruhestrom | 45 nA | |
| Maximale Betriebstemperatur | 70°C | |
| Breite | 9 mm | |
| Länge | 501.6mm | |
| Serie | LM | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 5.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Ausgangsstrom | -30mA | |
| Offset-Eingangsstrom | ±5 nA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Produkt Typ Operationsverstärker | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Gehäusegröße PDIP | ||
Anzahl der Kanäle 4 | ||
Pinanzahl 14 | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP 1.2MHz | ||
Minimale Versorgungsspannung 32V | ||
Maximale Versorgungsspannung 36V | ||
Slew Rate 0.5V/μs | ||
Betriebstemperatur min. 0°C | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung ±2 mV | ||
Eingangsruhestrom 45 nA | ||
Maximale Betriebstemperatur 70°C | ||
Breite 9 mm | ||
Länge 501.6mm | ||
Serie LM | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 5.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Ausgangsstrom -30mA | ||
Offset-Eingangsstrom ±5 nA | ||
Die Operationsverstärker von Texas Instruments bieten einen hervorragenden Wert für kostenempfindliche Anwendungen. Dieser Operationsverstärker hat einen niedrigen Offset, einen Gleichtakt-Eingangsbereich bis zur Erde und eine hohe Differenzialeingangsspannung. Diese Operationsverstärker vereinfachen das Schaltkreisdesign mit verbesserten Funktionen wie z. B. Einheitsverstärkungsstabilität mit niedrigeren Offset-Spannungen von maximal 3 mV.
Interner HF- und EMI-Filter
2 kV ESD-Schutz
Auf Produkten gemäß MIL PRF 38535
Die Produktionsabwicklung umfasst nicht unbedingt die Prüfung aller Parameter
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