LF412CDR Texas Instruments Operationsverstärker Oberfläche 3 MHz SOIC, biplor typ. 18 V, biplor typ. -18 V, 8-Pin Nein
- RS Best.-Nr.:
- 660-9543
- Herst. Teile-Nr.:
- LF412CDR
- Marke:
- Texas Instruments
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- Herst. Teile-Nr.:
- LF412CDR
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- Texas Instruments
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Produkt Typ | Operationsverstärker | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Anzahl der Kanäle | 2 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP | 3MHz | |
| Maximale Versorgungsspannung | 18V | |
| Minimale Versorgungsspannung | -18V | |
| Betriebstemperatur min. | 0°C | |
| Slew Rate | 13V/μs | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | 3 mV | |
| Eingangsruhestrom | 4 nA | |
| Maximale Betriebstemperatur | 70°C | |
| Serie | LF412C | |
| Breite | 3.91 mm | |
| Höhe | 1.58mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 4.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Offset-Eingangsstrom | 2 nA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Produkt Typ Operationsverstärker | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Anzahl der Kanäle 2 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP 3MHz | ||
Maximale Versorgungsspannung 18V | ||
Minimale Versorgungsspannung -18V | ||
Betriebstemperatur min. 0°C | ||
Slew Rate 13V/μs | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung 3 mV | ||
Eingangsruhestrom 4 nA | ||
Maximale Betriebstemperatur 70°C | ||
Serie LF412C | ||
Breite 3.91 mm | ||
Höhe 1.58mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 4.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Offset-Eingangsstrom 2 nA | ||
JFET-Eingang OP-Verstärker, Serie LF347 - Serie LF444
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