STMicroelectronics Operationsverstärker Oberfläche 1.3 MHz SOIC, biplor typ. 30V, biplor typ. 5 V, 14-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 714-0809
- Herst. Teile-Nr.:
- LM324DT
- Marke:
- STMicroelectronics
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- LM324DT
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Operationsverstärker | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Anzahl der Kanäle | 4 | |
| Pinanzahl | 14 | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP | 1.3MHz | |
| Maximale Versorgungsspannung | 30V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 5V | |
| Eingangsruhestrom | 200 nA | |
| Slew Rate | 0.4V/μs | |
| Betriebstemperatur min. | 0°C | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | 9 mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 70°C | |
| Länge | 8.75mm | |
| Höhe | 1.65mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | LM324 | |
| Ausgangsstrom | 70mA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Offset-Eingangsstrom | 40 nA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Operationsverstärker | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Anzahl der Kanäle 4 | ||
Pinanzahl 14 | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP 1.3MHz | ||
Maximale Versorgungsspannung 30V | ||
Minimale Versorgungsspannung 5V | ||
Eingangsruhestrom 200 nA | ||
Slew Rate 0.4V/μs | ||
Betriebstemperatur min. 0°C | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung 9 mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 70°C | ||
Länge 8.75mm | ||
Höhe 1.65mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie LM324 | ||
Ausgangsstrom 70mA | ||
Automobilstandard Nein | ||
Offset-Eingangsstrom 40 nA | ||
LM124, LM224, LM324, Vierfach-Operationsverstärker mit geringer Leistungsaufnahme und geringem Eingangsruhestrom
Die Operationsverstärker LM124, LM224 und LM324 bestehen aus vier unabhängigen Stromkreisen mit hoher Verstärkung mit intern implementierter Frequenzkompensation.
Große Verstärkungsbandbreite: 1,3 MHz
Gleichtakt-Eingangsspannungsbereich umfasst Masse
Große Spannungsverstärkung: 100 dB
Niedriger Versorgungsstrom pro Verstärker: 375 μA
Einzelnes Netzteil: +3 V bis +30 V
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