Texas Instruments Operationsverstärker Oberfläche 5 MHz SOT-23, biplor typ. 5.5 V, biplor typ. 2.2 V, 5-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 761-6286
- Herst. Teile-Nr.:
- LMP2021MFE/NOPB
- Marke:
- Texas Instruments
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- LMP2021MFE/NOPB
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Produkt Typ | Operationsverstärker | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Anzahl der Kanäle | 1 | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP | 5MHz | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.2V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | 10 μV | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Eingangsruhestrom | 300 pA | |
| Slew Rate | 2.6V/μs | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Breite | 1.6 mm | |
| Serie | LMP2021 | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 2.92mm | |
| Ausgangsstrom | 50mA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Offset-Eingangsstrom | 250 pA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Produkt Typ Operationsverstärker | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Anzahl der Kanäle 1 | ||
Pinanzahl 5 | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP 5MHz | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.2V | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung 10 μV | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Eingangsruhestrom 300 pA | ||
Slew Rate 2.6V/μs | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Breite 1.6 mm | ||
Serie LMP2021 | ||
Höhe 1.02mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 2.92mm | ||
Ausgangsstrom 50mA | ||
Automobilstandard Nein | ||
Offset-Eingangsstrom 250 pA | ||
Präzisions-Operationsverstärker, Texas Instruments
Eine Serie von Präzisions-Operationsverstärkern von Texas Instruments, die niedrige Eingangs-Offsetspannung und geringe Offset-Spannungsabweichung mit Temperatur bieten. Diese Geräte weisen stabile und vorhersehbare Betriebseigenschaften auf, die in vielen anspruchsvollen Anwendungen unverzichtbar sind. Die Eingangstypen CMOS und JFET verfügen außerdem über extrem niedrige Eingangsruheströme, weshalb sie sich ideal für den Einsatz in Schaltkreisen eignen, für die hohe Widerstandswerte erforderlich sind.
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