onsemi Operationsverstärker SMD SOIC, einzeln typ. 3 → 44 V, 14-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 773-7759
- Herst. Teile-Nr.:
- MC33074DR2G
- Marke:
- onsemi
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Voraussichtlich ab 21.05.2024 verfügbar.
Preis pro Stück (In einer VPE à 2)
0,785 €
(ohne MwSt.)
0,934 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 2 - 18 | 0,785 € | 1,57 € |
| 20 - 48 | 0,715 € | 1,43 € |
| 50 - 98 | 0,67 € | 1,34 € |
| 100 - 198 | 0,615 € | 1,23 € |
| 200 + | 0,56 € | 1,12 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
Verpackungsoptionen:
- RS Best.-Nr.:
- 773-7759
- Herst. Teile-Nr.:
- MC33074DR2G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
Produktdetails
Operationsverstärker MC33071/2/4, MC34071/2/4, NCV33072/4, einfache Versorgungsspannung von 3 V bis 44 V, ON Semiconductor
Die Operationsverstärker ON Semiconductor Serie MC33071/72/74, MC34071/72/74, NCV33072/74A sind in Einfach-, Zweifach- und Vierfachkonfigurationen erhältlich. Sie bieten ein Verstärkungs-Bandbreite-Produkt von 4,5 MHz, 13 V/μs Anstiegsgeschwindigkeit und eine kurze Ausregelzeit ohne den Einsatz von JFET-Gerätetechnologie.
Diese Serie kann von über geteilte Netzteile betrieben werden, ist aber auch für den Betrieb mit Einfachnetzteilen geeignet, da die Gleichtakt-Eingangsspannung das Erdungspotenzial (VEE) umfasst. Diese Operationsverstärker bieten einen hohen Eingangswiderstand, eine geringe Eingangs-Offset-Spannung und eine hohe Verstärkung. Alle Varianten sind in DIP-, SOIC- und TSSOP-Kunststoffgehäusen für SMD erhältlich.
Diese Serie kann von über geteilte Netzteile betrieben werden, ist aber auch für den Betrieb mit Einfachnetzteilen geeignet, da die Gleichtakt-Eingangsspannung das Erdungspotenzial (VEE) umfasst. Diese Operationsverstärker bieten einen hohen Eingangswiderstand, eine geringe Eingangs-Offset-Spannung und eine hohe Verstärkung. Alle Varianten sind in DIP-, SOIC- und TSSOP-Kunststoffgehäusen für SMD erhältlich.
Kurze Ausregelzeit: 1,1 μs bis 0,1 %
Großer einfacher Spannungsversorgungsbereich: 3 V bis 44 V
Großer Gleichtakt-Eingangsspannungsbereich: einschließlich Masse (VEE)
Niedrige Eingangs-Offset-Spannung: max. 3 mV (Suffix A)
Großes Ausgangsspannungsschwingen: –14,7 V bis +14 V (mit ±15-V-Netzteilen)
Treiberfähigkeit mit großer Kapazität: 0 pF bis 10000 pF
Geringe harmonische Gesamtverzerrung: 0,02 %
Ausgezeichnete Phasenreserve: 60°
Ausgezeichnete Verstärkungsreserve: 12 dB
Ausgangs-Kurzschlussschutz
Großer einfacher Spannungsversorgungsbereich: 3 V bis 44 V
Großer Gleichtakt-Eingangsspannungsbereich: einschließlich Masse (VEE)
Niedrige Eingangs-Offset-Spannung: max. 3 mV (Suffix A)
Großes Ausgangsspannungsschwingen: –14,7 V bis +14 V (mit ±15-V-Netzteilen)
Treiberfähigkeit mit großer Kapazität: 0 pF bis 10000 pF
Geringe harmonische Gesamtverzerrung: 0,02 %
Ausgezeichnete Phasenreserve: 60°
Ausgezeichnete Verstärkungsreserve: 12 dB
Ausgangs-Kurzschlussschutz
Operationsverstärker, ON Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Montage-Typ | SMD |
| Gehäusegröße | SOIC |
| Stromversorgungs-Typ | Single |
| Anzahl der Kanäle pro Chip | 4 |
| Pinanzahl | 14 |
| Versorgungsspannung einzeln typ. | 3 → 44 V |
| Verstärkungsbandbreitenprodukt typ. | 4.5MHz |
| Flankensteilheit typ. | 13V/µs |
| Arbeitsfrequenz max. | 100 kHz |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C |
| Rail to Rail | Nein |
| Spannungsverstärkung typ. | 100 dB |
| Eingansspannungsrauschen typ. | 32nV/√Hz |
| Breite | 4mm |
| Länge | 8.75mm |
| Abmessungen | 8.75 x 4 x 1.5mm |
| Höhe | 1.5mm |