STMicroelectronics Operationsverstärker Low Power SMD SOIC, einzeln typ. 2,5 → 5,5 V, biplor typ. ±2.5 →
- RS Best.-Nr.:
- 791-9232
- Herst. Teile-Nr.:
- LMV824AIYDT
- Marke:
- STMicroelectronics
Nicht verfügbar
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- LMV824AIYDT
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Verstärker-Typ | Low Power | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Stromversorgungs-Typ | Dual, Single | |
| Anzahl der Kanäle pro Chip | 4 | |
| Pinanzahl | 14 | |
| Versorgungsspannung einzeln typ. | 2,5 → 5,5 V | |
| Verstärkungsbandbreitenprodukt typ. | 5.5MHz | |
| Versorgungsspannung bipolar typ. | ±2.5 → 5.5V | |
| Flankensteilheit typ. | 1.7V/µs | |
| Arbeitsfrequenz max. | 10 kHz | |
| Betriebstemperatur max. | +125 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C | |
| Rail to Rail | Rail-to-Rail Output | |
| Spannungsverstärkung typ. | 100 dB | |
| Höhe | 1.65mm | |
| Abmessungen | 8.75 x 4 x 1.65mm | |
| Breite | 4mm | |
| Eingansspannungsrauschen typ. | 15nV/√Hz | |
| Länge | 8.75mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Verstärker-Typ Low Power | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Stromversorgungs-Typ Dual, Single | ||
Anzahl der Kanäle pro Chip 4 | ||
Pinanzahl 14 | ||
Versorgungsspannung einzeln typ. 2,5 → 5,5 V | ||
Verstärkungsbandbreitenprodukt typ. 5.5MHz | ||
Versorgungsspannung bipolar typ. ±2.5 → 5.5V | ||
Flankensteilheit typ. 1.7V/µs | ||
Arbeitsfrequenz max. 10 kHz | ||
Betriebstemperatur max. +125 °C | ||
Betriebstemperatur min. -40 °C | ||
Rail to Rail Rail-to-Rail Output | ||
Spannungsverstärkung typ. 100 dB | ||
Höhe 1.65mm | ||
Abmessungen 8.75 x 4 x 1.65mm | ||
Breite 4mm | ||
Eingansspannungsrauschen typ. 15nV/√Hz | ||
Länge 8.75mm | ||
LMV82x, LMV82xA, geringer Stromverbrauch, hohe Genauigkeit, Universal-Operationsverstärker
Die Operationsverstärker LMV82x und LMV82xA bieten Betrieb bei niedriger Versorgungsspannung, Kfz-Eignung, einen großen Betriebstemperaturbereich und hohe Toleranz gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD).
Geringer Stromverbrauch: max. 400 μA (bei 5 V)
Abschaltmodus: max. 50 nA
Mit erweitertem Ausgangsspannungsbereich
Geringe Offsetspannung: max. 0,8 mV (bei 25 °C)
Versorgungsspannung: 2,5 V bis 5,5 V
Verstärkungs-Bandbreite-Produkt: 5,5 MHz
Abschaltmodus: max. 50 nA
Mit erweitertem Ausgangsspannungsbereich
Geringe Offsetspannung: max. 0,8 mV (bei 25 °C)
Versorgungsspannung: 2,5 V bis 5,5 V
Verstärkungs-Bandbreite-Produkt: 5,5 MHz
