STMicroelectronics Operationsverstärker Oberfläche 15 MHz SOIC, biplor typ. 15V, biplor typ. 3 V, 14-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 877-3065P
- Herst. Teile-Nr.:
- TS524IDT
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Operationsverstärker | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Anzahl der Kanäle | 4 | |
| Pinanzahl | 14 | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP | 15MHz | |
| Maximale Versorgungsspannung | 15V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Eingangsruhestrom | 800 nA | |
| Slew Rate | 7V/μs | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | 1.8 mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Länge | 8.75mm | |
| Serie | TS524 | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Ausgangsstrom | 37mA | |
| Offset-Eingangsstrom | 175 nA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Operationsverstärker | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Anzahl der Kanäle 4 | ||
Pinanzahl 14 | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP 15MHz | ||
Maximale Versorgungsspannung 15V | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Eingangsruhestrom 800 nA | ||
Slew Rate 7V/μs | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung 1.8 mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Länge 8.75mm | ||
Serie TS524 | ||
Höhe 1.6mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Ausgangsstrom 37mA | ||
Offset-Eingangsstrom 175 nA | ||
- Ursprungsland:
- MA
TS524, besonders störungsarm, für Audioanwendungen geeignet
Der TS524 ist ein Vierfach-Operationsverstärker mit geringer Eingangs-Offsetspannung und hoher dynamischer Leistung. Der Ausgang kann hohe Ausgangsspannungsschwenke und symmetrische Quellen- und Senkenströme erreichen.
Eingangs-Offsetspannung: max. 950 μV
Hohes Verstärkungs-Bandbreite-Produkt: 15 MHz
Geringes Spannungsrauschen: 4,5 nV/√Hz
Geringe Verzerrung: 0,002 %
Hohe Anstiegsgeschwindigkeit: 7 V/μs
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