onsemi FOD8342 SMD Optokoppler / Push-Pull MOSFET-Out, 6-Pin SOP, Isolation 5000 V eff ac
- RS Best.-Nr.:
- 185-8661
- Herst. Teile-Nr.:
- FOD8342V
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Montage Typ | SMD | |
| Ausgangsschaltung | Push-Pull MOSFET | |
| Durchlassspannung max. | 1.8V | |
| Anzahl der Kanäle | 1 | |
| Anzahl der Pins | 6 | |
| Gehäusetyp | SOP | |
| Regelanstiegszeit | 38ns | |
| Eingangsstrom max. | 16 mA | |
| Isolationsspannung | 5000 V eff ac | |
| Logik Ausgang | Ja | |
| Fallzeit typ. | 24ns | |
| Serie | FOD8342 | |
| Besondere Merkmale | 20 kV/s minimale Gleichtaktunterdrückung, Abschaltung bei Unterspannung mit Hysterese, Großer Versorgungsspannungsbereich: 10 V bis 30 V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Montage Typ SMD | ||
Ausgangsschaltung Push-Pull MOSFET | ||
Durchlassspannung max. 1.8V | ||
Anzahl der Kanäle 1 | ||
Anzahl der Pins 6 | ||
Gehäusetyp SOP | ||
Regelanstiegszeit 38ns | ||
Eingangsstrom max. 16 mA | ||
Isolationsspannung 5000 V eff ac | ||
Logik Ausgang Ja | ||
Fallzeit typ. 24ns | ||
Serie FOD8342 | ||
Besondere Merkmale 20 kV/s minimale Gleichtaktunterdrückung, Abschaltung bei Unterspannung mit Hysterese, Großer Versorgungsspannungsbereich: 10 V bis 30 V | ||
- Ursprungsland:
- TH
FOD8342T - Kriechstrecke und Sicherheitsabstand von 8 mm und Isolationsabstand von 0,4 mm, um eine zuverlässige Hochspannungsisolierung zu erreichen
3,0 A Peak Ausgangsstrom-Antriebsleistung für mittlere Leistung IGBT/MOSFET
Der Einsatz von P-Kanal-MOSFETs an der Ausgangsstufe ermöglicht ein Schwenken der Ausgangsspannung nahe an der Versorgungsschiene
20 kV/μs minimale Gleichtaktunterdrückung
Großer Versorgungsspannungsbereich: 10 V bis 30 V.
Schnelle Schaltgeschwindigkeit über den gesamten Betriebstemperaturbereich
210 ns Maximale Ausbreitungsverzögerung
Maximale Pulsbreitenverzerrung: 65 ns
Unterspannungsabschaltung (UVLO) mit Hysterese
Erweiterter industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 100 °C.
Anwendungen
Wechsel- und bürstenlose Gleichstrom-Motorantriebe
Industrieller Wechselrichter
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Induktionsheizung
Isolierter IGBT/Leistungs-MOSFET-Gate-Antrieb
3,0 A Peak Ausgangsstrom-Antriebsleistung für mittlere Leistung IGBT/MOSFET
Der Einsatz von P-Kanal-MOSFETs an der Ausgangsstufe ermöglicht ein Schwenken der Ausgangsspannung nahe an der Versorgungsschiene
20 kV/μs minimale Gleichtaktunterdrückung
Großer Versorgungsspannungsbereich: 10 V bis 30 V.
Schnelle Schaltgeschwindigkeit über den gesamten Betriebstemperaturbereich
210 ns Maximale Ausbreitungsverzögerung
Maximale Pulsbreitenverzerrung: 65 ns
Unterspannungsabschaltung (UVLO) mit Hysterese
Erweiterter industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 100 °C.
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Wechsel- und bürstenlose Gleichstrom-Motorantriebe
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