onsemi FOD Durchsteckmontage 1 Optokoppler DC-In, 8-Pin PDIP, Isolation 5000 Vrms

Alle Optokoppler anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Box mit 1000 Stück)*

1.681,00 €

(ohne MwSt.)

2.000,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 10. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Box*
1000 - 10001,681 €1.681,00 €
2000 - 40001,638 €1.638,00 €
5000 +1,597 €1.597,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
189-0184
Herst. Teile-Nr.:
FOD3125
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Montageart

Durchsteckmontage

Produkt Typ

Optokoppler

Durchlassspannung max.

1.8V

Anzahl der Kanäle

1

Verpackungsart

Band und Rolle

Anzahl der Pins

8

Gehäusegröße

PDIP

Eingangsstrom Typ

DC

Regelanstiegszeit

60ns

Eingangsstrom max.

16mA

Isolationsspannung

5000Vrms

Logikausgang

Ja

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Normen/Zulassungen

UL1577, DIN EN/IEC60747-5-5 (pending approval)

Fallzeit typ.

60ns

Serie

FOD

Automobilstandard

Nein

Der FOD3125 ist ein 2,5-A-Ausgangsstrom-Gate-Drive-Optokoppler, der die meisten IGBT/MOSFET mit mittlerer Leistung bei hohen Temperaturen bis 125 °C betreiben kann Er eignet sich ideal für das schnelle Schalten von Leistungs-IGBT- und MOSFETs, die in Motorsteuerungs-Wechselrichteranwendungen und Hochleistungsleistungssystemen verwendet werden. Es nutzt die koplanare Verpackungstechnologie von ON Semiconductor, Optoplanar ®, und das optimierte IC-Design, um eine hohe Störfestigkeit zu erreichen, die durch eine hohe Gleichtaktunterdrückung gekennzeichnet ist. Er besteht aus einer Gallium-Aluminium-Arsenid-(AlGaAs)-Leuchtdiode, die optisch mit einem integrierten Schaltkreis mit einem Hochgeschwindigkeits-Treiber für Push-Pull-MOSFET-Ausgangsstufe gekoppelt ist.

Erweiterter industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 125 °C.

Hohe Störfestigkeit, charakterisiert durch 35 kV/μs minimale Gleichtaktunterdrückung

2,5 A Peak Ausgangsstrom-Ansteuerbarkeit für die meisten 1200 V/20 A IGBT

Der Einsatz von P-Kanal-MOSFETs an der Ausgangsstufe ermöglicht ein Schwenken der Ausgangsspannung nahe der Versorgungsschiene

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Großer Versorgungsspannungsbereich von 15 V bis 30 V.

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Max. 400 ns Laufzeit

100 ns max Pulsbreitenverzerrung

Unterspannungsabschaltung (UVLO) mit Hysterese

Anwendungen

Industrieller Wechselrichter

Unterbrechungsfreie Stromversorgung

Induktionsheizung

Isolierter IGBT/Leistungs-MOSFET-Gate-Antrieb

Verwandte Links