Renesas Electronics PS Oberfläche 1 Optokoppler DC-In, 4-Pin SMD Gull-Wing, Isolation 5000 V eff.
- RS Best.-Nr.:
- 234-7075
- Herst. Teile-Nr.:
- PS2561DL2-1Y-A
- Marke:
- Renesas Electronics
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | 0,388 € | 38,80 € |
| 200 - 400 | 0,377 € | 37,70 € |
| 500 - 900 | 0,366 € | 36,60 € |
| 1000 - 1900 | 0,31 € | 31,00 € |
| 2000 + | 0,298 € | 29,80 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 234-7075
- Herst. Teile-Nr.:
- PS2561DL2-1Y-A
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Produkt Typ | Optokoppler | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Ausgangstyp | Fototransistor | |
| Durchlassspannung max. | 1.4V | |
| Anzahl der Kanäle | 1 | |
| Verpackungsart | Magazin | |
| Anzahl der Pins | 4 | |
| Gehäusegröße | SMD Gull-Wing | |
| Eingangsstrom Typ | DC | |
| Regelanstiegszeit | 3μs | |
| Eingangsstrom max. | 400mA | |
| Isolationsspannung | 5000V eff. | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Strom-Übertragungsverhältnis max. | 400% | |
| Maximale Betriebstemperatur | 110°C | |
| Fallzeit typ. | 5μs | |
| Strom-Übertragungsverhältnis min. | 50% | |
| Normen/Zulassungen | UL, EN, CSA | |
| Serie | PS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Produkt Typ Optokoppler | ||
Montageart Oberfläche | ||
Ausgangstyp Fototransistor | ||
Durchlassspannung max. 1.4V | ||
Anzahl der Kanäle 1 | ||
Verpackungsart Magazin | ||
Anzahl der Pins 4 | ||
Gehäusegröße SMD Gull-Wing | ||
Eingangsstrom Typ DC | ||
Regelanstiegszeit 3μs | ||
Eingangsstrom max. 400mA | ||
Isolationsspannung 5000V eff. | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Strom-Übertragungsverhältnis max. 400% | ||
Maximale Betriebstemperatur 110°C | ||
Fallzeit typ. 5μs | ||
Strom-Übertragungsverhältnis min. 50% | ||
Normen/Zulassungen UL, EN, CSA | ||
Serie PS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der optisch gekoppelte Isolator von Renesas Electronics enthält eine GaAs-Lichtdiode und einen NPN-Silizium-Fototransistor. Es hat eine hohe Isolationsspannung.
Betriebsumgebungstemperatur von 110 °C
Hohe Kollektor-Emitter-Spannung
Hohes Stromübertragungsverhältnis
Hochgeschwindigkeits-Schalten
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