Vishay pin-Diode

Die Silizium-PIN-Fotodiode der Vishay TEMD-Serie für Durchgangsbohrungen ist das neueste Gerät mit einer Fotokurrienklasse von 70 μA und einer Peak Wavelength Rating von 900 nm. Er verfügt über eine hohe Geschwindigkeit und hohe Strahlungsempfindlichkeit in einem transparenten Miniatur-Kunststoffgehäuse mit flacher, Top View. Er ist für Hochgeschwindigkeits-Fotodetektor geeignet. Die Diode hat eine Verlustleistung von 215 mW mit 2 nA Dunkelstrom.

• Winkel mit halber Empfindlichkeit: F= ±65°
• Winkel mit halber Empfindlichkeit: F= ±65°
• Abmessungen (LxBxH): 5,4 mm x 4,3 mm x 3,2 mm
• Abmessungen (LxBxH): 5,4 mm x 4,3 mm x 3,2 mm
• Schnelle Reaktionszeiten
• Schnelle Reaktionszeiten
• Hohe Fotoempfindlichkeit
• Hohe Fotoempfindlichkeit
• Hohe Strahlungsempfindlichkeit
• Hohe Strahlungsempfindlichkeit
• Gehäuseform: Top
• Gehäuseform: Top
• Gehäusetyp: Mit Anschlussdrähten
• Gehäusetyp: Mit Anschlussdrähten
• Strahlungsempfindlicher Bereich: 7,5 mm2
• Strahlungsempfindlicher Bereich: 7,5 mm2
• Geeignet für sichtbare und nahe Infrarotstrahlung
• Geeignet für sichtbare und nahe Infrarotstrahlung

• 2002/95/EG
• E 3
• Grün (5-2008)
• bleifreie Komponente (Pb)
• WEEE 2002/96/EG