onsemi Darlington-Transistor 1 120 V 30 A NPN HFE:200, TO-204 3-Pin

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RS Best.-Nr.:
100-7565
Herst. Teile-Nr.:
MJ11016G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

Darlington-Transistor

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

30A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

120V

Gehäusegröße

TO-204

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Anzahl der Elemente pro Chip

1

DC-Stromverstärkung min. hFE

200

Kollektor-Basis Spannung max. VCBO

120V

Maximale Verlustleistung Pd

200W

Polarität des Transistors

NPN

Emitter-Basisspannung max. VEBO

5V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

4V

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

39.37mm

Höhe

8.51mm

Serie

MJ1101

Kollektor-Sperrstrom max.

1mA

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CZ
MJ11016G

Der MJ11016G wird in einem bleifreien TO-204AA (TO-3) mit Lochgehäuse geliefert.

• Hohe DC-Stromsteigerung

• Monolithische Bauweise

• Integrierter Basissender-Shunt-Widerstand

• Verbindungstemperatur: bis +200 °C

• NPN-Polarität

Verfügbare Versionen:

463-000 – Packung mit 2 Stück

100-7565 – Schale mit 100 Stück

NPN Darlington-Transistoren, ON Semiconductor


Standards

Hersteller-Teilenummern mit dem Präfix S oder NSV sind gemäß AEC-Q101-Standard qualifiziert.

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