onsemi Darlington-Transistor 1 120 V -20 A PnP HFE:200, TO-204 3-Pin

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RS Best.-Nr.:
103-5055
Herst. Teile-Nr.:
MJ11015G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

Darlington-Transistor

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

-20A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

120V

Gehäusegröße

TO-204

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Anzahl der Elemente pro Chip

1

DC-Stromverstärkung min. hFE

200

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

3V

Polarität des Transistors

PnP

Maximale Verlustleistung Pd

200W

Emitter-Basisspannung max. VEBO

5V

Kollektor-Basis Spannung max. VCBO

120V

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Normen/Zulassungen

No

Serie

MJ11012

Länge

39.37mm

Höhe

8.51mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CZ
Der on Semiconductor MJ11015G ist ein bipolarer Transistor mit 30 A, 120 V PNP Darlington. Er wurde für den Einsatz als Ausgabegerät für allgemeine Verstärkeranwendungen entwickelt.

Das MJ11015G wird in einem bleifreien TO-204AA (TO-3)-durchkontaktierten Gehäuse geliefert.

• Hohe Gleichstromverstärkung

• Monolithische Bauweise

• Integrierter Basis-Emitter-Shunt-Widerstand

• Abzweigtemperatur: Bis +200 °C.

• PNP-Polarität

Lieferbare Versionen:

688-1502 - Packung mit 2 Stück

103-5055 - Schale mit 100 Stück

PNP-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor


Standards

Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.

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