Nexperia Oberfläche Transistor NPN + PNP 45 V / 100 mA, UMT 6-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 103-7553
- Herst. Teile-Nr.:
- BC847BPN,115
- Marke:
- Nexperia
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- RS Best.-Nr.:
- 103-7553
- Herst. Teile-Nr.:
- BC847BPN,115
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | Transistor | |
| Kollektorstrom DC max. Idc | 100mA | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 45V | |
| Gehäusegröße | UMT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Kollektor-Basis Spannung max. VCBO | 50V | |
| Polarität des Transistors | NPN + PNP | |
| DC-Stromverstärkung min. hFE | 200 | |
| Emitter-Basisspannung max. VEBO | 5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200mW | |
| Maximale Übergangsfrequenz Ft | 100MHz | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | BC847BPN | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 2.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ Transistor | ||
Kollektorstrom DC max. Idc 100mA | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 45V | ||
Gehäusegröße UMT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO 50V | ||
Polarität des Transistors NPN + PNP | ||
DC-Stromverstärkung min. hFE 200 | ||
Emitter-Basisspannung max. VEBO 5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200mW | ||
Maximale Übergangsfrequenz Ft 100MHz | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Pinanzahl 6 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie BC847BPN | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 2.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
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