onsemi Oberfläche Digitaler Transistor NPN + PNP 50 V 100 mA SOT-363 (SC-88) 6-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 145-3114
- Herst. Teile-Nr.:
- MUN5312DW1T1G
- Marke:
- onsemi
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- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Digitaler Transistor | |
| Gehäusegröße | SOT-363 (SC-88) | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 50V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Kollektor-Basis Spannung max. VCBO | 50V | |
| Polarität des Transistors | NPN + PNP | |
| DC-Stromverstärkung min. hFE | 60 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 250mV | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 100mA | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | Pb-Free, RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Digitaler Transistor | ||
Gehäusegröße SOT-363 (SC-88) | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 50V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO 50V | ||
Polarität des Transistors NPN + PNP | ||
DC-Stromverstärkung min. hFE 60 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 250mV | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 100mA | ||
Pinanzahl 6 | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen Pb-Free, RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Zweifachwiderstands-Dual-Digitaltransistoren, ON Semiconductor
Digitale Transistoren, ON Semiconductor
Mit Widerstand ausgestattete bipolare Transistoren, auch bekannt als \"Digital Transistors\" oder \"Bias-Widerstands-Transistoren\", mit einem oder zwei integrierten Widerständen. Ein einreihiger Eingangswiderstand oder ein Potenzialteiler von zwei Widerständen ermöglicht es diesen Geräten, direkt von digitalen Quellen angetrieben zu werden. Sowohl Einzel- als auch Zweifach-Transistorversionen sind erhältlich.
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