Nexperia Oberfläche Transistor NPN 100 V / 3 A, SOT-669 5-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 151-3044
- Herst. Teile-Nr.:
- PHPT61003NYX
- Marke:
- Nexperia
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- PHPT61003NYX
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | Transistor | |
| Kollektorstrom DC max. Idc | 3A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 100V | |
| Gehäusegröße | SOT-669 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Kollektor-Basis Spannung max. VCBO | 100V | |
| Polarität des Transistors | NPN | |
| DC-Stromverstärkung min. hFE | 150 | |
| Emitter-Basisspannung max. VEBO | 7V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 25W | |
| Maximale Übergangsfrequenz Ft | 140MHz | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Länge | 5mm | |
| Serie | PHPT61003N | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 4.45mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ Transistor | ||
Kollektorstrom DC max. Idc 3A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 100V | ||
Gehäusegröße SOT-669 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO 100V | ||
Polarität des Transistors NPN | ||
DC-Stromverstärkung min. hFE 150 | ||
Emitter-Basisspannung max. VEBO 7V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 25W | ||
Maximale Übergangsfrequenz Ft 140MHz | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Pinanzahl 5 | ||
Länge 5mm | ||
Serie PHPT61003N | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 4.45mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
NPN-Hochleistungs-Bipolartransistor (100 V, 3 A), NPN-Hochleistungs-Bipolartransistor in einem leistungsstarken SOT669 (LFPAK56)-SMD-Kunststoffgehäuse. PNP-Ergänzung PHPT61003PY
Hohes Wärmekraft-AbleitungsvermögenGeeignet für Anwendungen bei hohen Temperaturen bis zu 175 °CGeringere Anforderungen an die Platine (PCB) als die Transistoren in DPAKHohe Energieeffizienz durch geringere WärmeentwicklungAEC-Q101-qualifiziert
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