Nexperia Oberfläche Transistor NPN 100 V / 3 A, SOT-669 5-Pin

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RS Best.-Nr.:
151-3112P
Herst. Teile-Nr.:
PHPT61003NYX
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

Transistor

Kollektorstrom DC max. Idc

3A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

100V

Gehäusegröße

SOT-669

Montageart

Oberfläche

Transistor-Konfiguration

Einfach

Kollektor-Basis Spannung max. VCBO

100V

Maximale Übergangsfrequenz Ft

140MHz

Betriebstemperatur min.

-55°C

Emitter-Basisspannung max. VEBO

7V

DC-Stromverstärkung min. hFE

150

Polarität des Transistors

NPN

Maximale Verlustleistung Pd

25W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Pinanzahl

5

Breite

4.45mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

5mm

Höhe

1mm

Serie

PHPT61003N

Automobilstandard

AEC-Q101

NPN-Hochleistungs-Bipolartransistor (100 V, 3 A), NPN-Hochleistungs-Bipolartransistor in einem leistungsstarken SOT669 (LFPAK56)-SMD-Kunststoffgehäuse. PNP-Ergänzung PHPT61003PY

Hohes Wärmekraft-AbleitungsvermögenGeeignet für Anwendungen bei hohen Temperaturen bis zu 175 °CGeringere Anforderungen an die Platine (PCB) als die Transistoren in DPAKHohe Energieeffizienz durch geringere WärmeentwicklungAEC-Q101-qualifiziert

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