onsemi Oberfläche Transistor NPN 30 V / 600 mA, SOT-23 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 184-0999
- Herst. Teile-Nr.:
- MMBT2222ALT1G
- Marke:
- onsemi
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 0,021 € | 63,00 € |
| 9000 - 21000 | 0,019 € | 57,00 € |
| 24000 - 42000 | 0,017 € | 51,00 € |
| 45000 - 96000 | 0,015 € | 45,00 € |
| 99000 + | 0,013 € | 39,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 184-0999
- Herst. Teile-Nr.:
- MMBT2222ALT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Transistor | |
| Kollektorstrom DC max. Idc | 600mA | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Kollektor-Basis Spannung max. VCBO | 60V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 225mW | |
| Polarität des Transistors | NPN | |
| DC-Stromverstärkung min. hFE | 30 | |
| Emitter-Basisspannung max. VEBO | 5V | |
| Maximale Übergangsfrequenz Ft | 100MHz | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.11mm | |
| Länge | 3.04mm | |
| Breite | 1.4mm | |
| Serie | MMBT2222AL | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Transistor | ||
Kollektorstrom DC max. Idc 600mA | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 30V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO 60V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 225mW | ||
Polarität des Transistors NPN | ||
DC-Stromverstärkung min. hFE 30 | ||
Emitter-Basisspannung max. VEBO 5V | ||
Maximale Übergangsfrequenz Ft 100MHz | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.11mm | ||
Länge 3.04mm | ||
Breite 1.4mm | ||
Serie MMBT2222AL | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der bipolare NPN-Transistor wurde für den Einsatz in linearen und Schaltanwendungen entwickelt. Das Gerät befindet sich im SOT-23-Gehäuse, das für SMD-Anwendungen mit geringerer Leistung entwickelt wurde.
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