onsemi MJ2955G THT, PNP Transistor -70 V / –15 A 1 MHz, TO-204AA 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 184-4308
- Herst. Teile-Nr.:
- MJ2955G
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Transistor-Typ | PNP | |
| DC Kollektorstrom max. | –15 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | -70 V | |
| Gehäusegröße | TO-204AA | |
| Montage-Typ | THT | |
| Verlustleistung max. | 115 W | |
| Gleichstromverstärkung min. | 20 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Kollektor-Basis-Spannung max. | 100 V dc | |
| Basis-Emitter Spannung max. | 7 V dc | |
| Arbeitsfrequenz max. | 1 MHz | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +200 °C | |
| Abmessungen | 39.37 x 26.67 x 8.51mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Transistor-Typ PNP | ||
DC Kollektorstrom max. –15 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung -70 V | ||
Gehäusegröße TO-204AA | ||
Montage-Typ THT | ||
Verlustleistung max. 115 W | ||
Gleichstromverstärkung min. 20 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Kollektor-Basis-Spannung max. 100 V dc | ||
Basis-Emitter Spannung max. 7 V dc | ||
Arbeitsfrequenz max. 1 MHz | ||
Pinanzahl 3 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +200 °C | ||
Abmessungen 39.37 x 26.67 x 8.51mm | ||
- Ursprungsland:
- MX
Der bipolare PNP-Leistungstransistor wurde für den Einsatz in Hochleistungsverstärkern und Schaltverstärkeranwendungen entwickelt. Die Modelle 2N3055 (NPN) und MJ2955 (PNP) sind komplementäre Geräte.
DC-Stromverstärkung - hFE = 20-70 @ IC = 4 Adc
Collector-Emitter-Sättigungsspannung - VCE(sat) = 1,1 Vdc (max.) bei IC = 4 Adc
Ausgezeichneter sicherer Arbeitsbereich
Collector-Emitter-Sättigungsspannung - VCE(sat) = 1,1 Vdc (max.) bei IC = 4 Adc
Ausgezeichneter sicherer Arbeitsbereich