onsemi Oberfläche Digitaler Transistor NPN 50 V 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 186-7190
- Herst. Teile-Nr.:
- MUN5235T1G
- Marke:
- onsemi
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 186-7190
- Herst. Teile-Nr.:
- MUN5235T1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Digitaler Transistor | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 50V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Kollektor-Basis Spannung max. VCBO | 50V | |
| DC-Stromverstärkung min. hFE | 80 | |
| Polarität des Transistors | NPN | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 310mW | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 2.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | MUN5235 | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 2.2mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Digitaler Transistor | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 50V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO 50V | ||
DC-Stromverstärkung min. hFE 80 | ||
Polarität des Transistors NPN | ||
Maximale Verlustleistung Pd 310mW | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 2.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie MUN5235 | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 2.2mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Diese Serie digitaler Transistoren ersetzt ein einzelnes Gerät und sein externes Widerstandsvorspannungsnetz. Der Bias Resistor Transistor (BRT) enthält einen einzelnen Transistor mit einem monolithischen Bias-Netzwerk, bestehend aus zwei Widerständen, einem seriellen Basiswiderstand und einem Basisemitter-Widerstand. Die BRT eliminiert diese Einzelkomponenten durch die Integration in ein einziges Gerät. Durch den Einsatz eines BRT können sowohl die Systemkosten als auch der Platinenplatz reduziert werden.
Vereinfacht das Schaltungsdesign
Reduziert den Plattenplatz
Reduziert die Anzahl der Komponenten
S- und NSV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig
Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei
Verwandte Links
- onsemi Oberfläche Digitaler Transistor NPN 50 V 3-Pin
- onsemi Oberfläche Digitaler Transistor NPN 50 V ESM 3-Pin
- onsemi Oberfläche Digitaler Transistor NPN 50 V SOT-23 3-Pin
- onsemi Oberfläche Digitaler Transistor NPN 50 V SC-59 3-Pin
- onsemi Oberfläche Digitaler Transistor NPN 50 V SC-75 3-Pin
- onsemi Oberfläche Digitaler Transistor NPN 50 V 100 mA 3-Pin
- onsemi Oberfläche Digitaler Transistor NPN 50 V SOT-346 (SC-59) 3-Pin
- 128gb Sd Karten
