onsemi Oberfläche Digitaler Transistor NPN 80 V dc 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 186-8565P
- Herst. Teile-Nr.:
- MMBTA06WT1G
- Marke:
- onsemi
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- MMBTA06WT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Digitaler Transistor | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 80V dc | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Kollektor-Basis Spannung max. VCBO | 80V dc | |
| Polarität des Transistors | NPN | |
| Emitter-Basisspannung max. VEBO | 4V dc | |
| DC-Stromverstärkung min. hFE | 100 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 460mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Länge | 2.2mm | |
| Breite | 2.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Serie | MMBTA06W | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Digitaler Transistor | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 80V dc | ||
Montageart Oberfläche | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO 80V dc | ||
Polarität des Transistors NPN | ||
Emitter-Basisspannung max. VEBO 4V dc | ||
DC-Stromverstärkung min. hFE 100 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 460mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Pinanzahl 3 | ||
Länge 2.2mm | ||
Breite 2.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Serie MMBTA06W | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Bipolartransistor NPN ist für allgemeine Verstärkeranwendungen konzipiert. Er ist im Gehäuse SOT-323/SC-70 untergebracht, das für oberflächenmontierbare Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme ausgelegt ist.
Feuchtigkeitsempfindlichkeit: 1
ESD-Schutzart: Menschliches Karosseriemodell - 4 kV Maschinenmodell - 400 V
Möglicherweise ist ein kostenloses Paket verfügbar. Das G-Suffix kennzeichnet ein bleifreies Ende
S- und NSV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig