Texas Instruments Hochstrom-Darlington-Transistor-Array 7 50 V 500 mA NPN, SOIC 16-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 197-7632
- Herst. Teile-Nr.:
- ULN2003ADR
- Marke:
- Texas Instruments
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*Richtpreis
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- ULN2003ADR
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- Texas Instruments
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Produkt Typ | Hochstrom-Darlington-Transistor-Array | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 500mA | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 50V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 7 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Polarität des Transistors | NPN | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 105°C | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | ULN2003A | |
| Länge | 10mm | |
| Kollektor-Sperrstrom max. | 50μA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Produkt Typ Hochstrom-Darlington-Transistor-Array | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 500mA | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 50V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 16 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 7 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Polarität des Transistors NPN | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 105°C | ||
Höhe 1.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie ULN2003A | ||
Länge 10mm | ||
Kollektor-Sperrstrom max. 50μA | ||
Automobilstandard Nein | ||
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