Texas Instruments Darlington-Transistor 7 50 V 300 mA NPN, SOIC 16-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 218-4681P
- Herst. Teile-Nr.:
- ULN2004ADR
- Marke:
- Texas Instruments
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- ULN2004ADR
- Marke:
- Texas Instruments
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Produkt Typ | Darlington-Transistor | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 300mA | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 50V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 7 | |
| Betriebstemperatur min. | -20°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Polarität des Transistors | NPN | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.6V | |
| Kollektor-Basis Spannung max. VCBO | 50V | |
| Emitter-Basisspannung max. VEBO | 50V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 70°C | |
| Serie | ULN2004 | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Länge | 10mm | |
| Kollektor-Sperrstrom max. | 100μA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Produkt Typ Darlington-Transistor | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 300mA | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 50V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 16 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 7 | ||
Betriebstemperatur min. -20°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Polarität des Transistors NPN | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.6V | ||
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO 50V | ||
Emitter-Basisspannung max. VEBO 50V | ||
Maximale Betriebstemperatur 70°C | ||
Serie ULN2004 | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.75mm | ||
Länge 10mm | ||
Kollektor-Sperrstrom max. 100μA | ||
Automobilstandard Nein | ||