ROHM RD3G01BAT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 15 A 25 W, 3-Pin TO-252

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223-6275P
Herst. Teile-Nr.:
RD3G01BATTL1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

15A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

RD3G01BAT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

390mΩ

Channel-Modus

P

Maximale Verlustleistung Pd

25W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19.3nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den TO-252-Gehäusetyp. Er wird hauptsächlich zum Schalten verwendet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Einfache Antriebskreise möglich

Parallele Nutzung ist einfach

Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform

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