onsemi NPN Darlington-Transistor 120 V 30 A HFE:200, TO-204 3-Pin Einfach

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RS Best.-Nr.:
463-000
Herst. Teile-Nr.:
MJ11016G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Transistor-Typ

NPN

Dauer-Kollektorstrom max.

30 A

Kollektor-Emitter-Spannung

120 V

Basis-Emitter Spannung max.

5 V

Gehäusegröße

TO-204

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gleichstromverstärkung min.

200

Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.

5 V

Kollektor-Basis-Spannung max.

120 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.

4 V

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Abmessungen

39.37 x 26.67 x 8.51mm

Höhe

8.51mm

Breite

26.67mm

Länge

39.37mm

Betriebstemperatur max.

+200°C

NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor


Normen

Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.
Der on Semiconductor MJ11016G ist ein bipolarer Leistungstransistor mit 30 A, 120 V NPN Darlington. Er wurde für den Einsatz als Ausgabegerät für allgemeine Verstärkeranwendungen entwickelt.
Das MJ11016G wird in einem bleifreien TO-204AA (TO-3)-durchkontaktierten Gehäuse geliefert.

• Hohe Gleichstromverstärkung
• Monolithische Bauweise
• Integrierter Basis-Emitter-Shunt-Widerstand
• Abzweigtemperatur: Bis +200 °C.
• NPN-Polarität

Lieferbare Versionen:
463-000 - Packung mit 2 Stück
100-7565 - Schale mit 100 Stück

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