Nexperia Oberfläche Transistor NPN 100 V / 1 A, SOT-223 4-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 518-2107P
- Herst. Teile-Nr.:
- PBSS8110Z,135
- Marke:
- Nexperia
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- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | Transistor | |
| Kollektorstrom DC max. Idc | 1A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 100V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Kollektor-Basis Spannung max. VCBO | 120V | |
| Polarität des Transistors | NPN | |
| Maximale Übergangsfrequenz Ft | 100MHz | |
| Emitter-Basisspannung max. VEBO | 5V | |
| DC-Stromverstärkung min. hFE | 80 | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.4W | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | PBSS8110Z | |
| Höhe | 1.65mm | |
| Breite | 7.3mm | |
| Länge | 6.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ Transistor | ||
Kollektorstrom DC max. Idc 1A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 100V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO 120V | ||
Polarität des Transistors NPN | ||
Maximale Übergangsfrequenz Ft 100MHz | ||
Emitter-Basisspannung max. VEBO 5V | ||
DC-Stromverstärkung min. hFE 80 | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.4W | ||
Pinanzahl 4 | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie PBSS8110Z | ||
Höhe 1.65mm | ||
Breite 7.3mm | ||
Länge 6.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
NPN-Transistoren mit niedriger Sättigungsspannung
Eine Serie von bipolaren NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Spannungs-NPN-Junction-Transistoren. Diese Bauelemente bieten sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungen und hohe Strombelastbarkeit am Kollektor in kompakten, platzsparenden Gehäusen. Die reduzierten Verluste dieser Transistoren führen zu einer verringerten Wärmeentwicklung und einer Steigerung der Gesamteffizienz bei Verwendung in Schalt- und Digitalanwendungen.