onsemi Oberfläche Transistor PnP -30 V / -100 mA, SOT-23 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 544-9444
- Herst. Teile-Nr.:
- BC858BLT1G
- Marke:
- onsemi
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- 544-9444
- Herst. Teile-Nr.:
- BC858BLT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Transistor | |
| Kollektorstrom DC max. Idc | -100mA | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | -30V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Kollektor-Basis Spannung max. VCBO | 30V | |
| Maximale Übergangsfrequenz Ft | 100MHz | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Emitter-Basisspannung max. VEBO | 5V | |
| Polarität des Transistors | PnP | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300mW | |
| DC-Stromverstärkung min. hFE | 125 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | BC856ALT1G | |
| Breite | 1.4mm | |
| Höhe | 1.11mm | |
| Länge | 3.04mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Transistor | ||
Kollektorstrom DC max. Idc -100mA | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo -30V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO 30V | ||
Maximale Übergangsfrequenz Ft 100MHz | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Emitter-Basisspannung max. VEBO 5V | ||
Polarität des Transistors PnP | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300mW | ||
DC-Stromverstärkung min. hFE 125 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie BC856ALT1G | ||
Breite 1.4mm | ||
Höhe 1.11mm | ||
Länge 3.04mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Kleinsignal-PNP-Transistoren, ON Semiconductor
Standards
Hersteller-Teilenummern mit dem Präfix S oder NSV sind gemäß AEC-Q101-Standard qualifiziert.
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