onsemi Darlington-Transistor 1 100 V 5 A PnP HFE:1000, TO-220 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 545-2361
- Herst. Teile-Nr.:
- TIP127G
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Darlington-Transistor | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 5A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| DC-Stromverstärkung min. hFE | 1000 | |
| Emitter-Basisspannung max. VEBO | 5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 65W | |
| Kollektor-Basis Spannung max. VCBO | 100V | |
| Polarität des Transistors | PnP | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 9.28mm | |
| Länge | 10.28mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | TIP127 | |
| Kollektor-Sperrstrom max. | 0.2mA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Darlington-Transistor | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 5A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 100V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
DC-Stromverstärkung min. hFE 1000 | ||
Emitter-Basisspannung max. VEBO 5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 65W | ||
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO 100V | ||
Polarität des Transistors PnP | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 9.28mm | ||
Länge 10.28mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie TIP127 | ||
Kollektor-Sperrstrom max. 0.2mA | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- VN
Der on Semiconductor TIP127G ist ein 5 A, 100 V PNP Darlington-Bipolartransistor. Er wurde für den Einsatz als Ausgabegerät für allgemeine Verstärkeranwendungen entwickelt.
Der TIP127G wird in einem durchkontaktierten TO-220AB-Kunststoffgehäuse geliefert.
• Hohe Gleichstromverstärkung
• Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
• Monolithische Bauweise
• Integrierter Basis-Emitter-Shunt-Widerstand
• Kompaktes Gehäuse
• PNP-Polarität
Lieferbare Versionen:
545-2361 - einfach
124-5436 - Rohr mit 50 Stück
PNP-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor
Standards
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.
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