Nexperia Oberfläche Transistor PnP -45 V / -100 mA, SOT-457 6-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 792-0841P
- Herst. Teile-Nr.:
- BCM857DS,115
- Marke:
- Nexperia
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- BCM857DS,115
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | Transistor | |
| Kollektorstrom DC max. Idc | -100mA | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | -45V | |
| Gehäusegröße | SOT-457 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Kollektor-Basis Spannung max. VCBO | -50V | |
| DC-Stromverstärkung min. hFE | 200 | |
| Maximale Übergangsfrequenz Ft | 175MHz | |
| Polarität des Transistors | PnP | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 380mW | |
| Emitter-Basisspannung max. VEBO | -5V | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 1.7mm | |
| Serie | BCM857DS | |
| Länge | 3.5mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ Transistor | ||
Kollektorstrom DC max. Idc -100mA | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo -45V | ||
Gehäusegröße SOT-457 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO -50V | ||
DC-Stromverstärkung min. hFE 200 | ||
Maximale Übergangsfrequenz Ft 175MHz | ||
Polarität des Transistors PnP | ||
Maximale Verlustleistung Pd 380mW | ||
Emitter-Basisspannung max. VEBO -5V | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Pinanzahl 6 | ||
Höhe 1.1mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 1.7mm | ||
Serie BCM857DS | ||
Länge 3.5mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||