onsemi AEC-Q101 1 TVS-Diode Bidirektional Gemeinsame Anode 350 W 35.6 V min., 3-Pin, Oberfläche 32 V max SOT-23

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RS Best.-Nr.:
882-9840
Herst. Teile-Nr.:
NUP3105LT3G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

TVS-Diode

Direction Typ

Bidirektional

Diodenkonfiguration

Gemeinsame Anode

Durchbruchsspannung min. Vbr

35.6V

Montageart

Oberfläche

Gehäusegröße

SOT-23

Maximale Sperrspannung Vwm

32V

Pinanzahl

3

Höchstzulässige Pulsverlustleistung Pppm

350W

Klemmenspannung

66V

Prüfstrom It

1mA

ESD Schutz

Ja

Impulsspitzenstrom max. Ippm

8A

Betriebstemperatur min.

-55°C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.04mm

Höhe

1.01mm

Breite

1.4mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Sperrstrom max.

100nA

Ursprungsland:
CN

NUP2105L, NUP3105L Zwei-Phasen-CAN-Bus-Schutz


On Semiconductor NUP2105L/NUP3105L zweizeilige CAN-Bus-Schutzvorrichtungen wurden entwickelt, um den CAN-Transceiver in Hochgeschwindigkeits- und fehlertoleranten Netzwerken vor ESD und anderen schädlichen transienten Ereignissen zu schützen. Sie bieten bidirektionalen Schutz für jede Datenleitung und verfügen über das kompakte SOT-23-Gehäuse, das die Systemzuverlässigkeit unterstützt und die strengen EMI-Anforderungen erfüllt.

Funktionen


Maximale Verlustleistung von 3350 W pro Leitung... Peak Power Dissipation pro Leitung

Niedriger Rückwärtsleckstrom (<100 nA)

Hochgeschwindigkeits-CAN-Datenraten mit niedriger Kapazität

IEC-Kompatibilität:

IEC 61000−4−2 (ESD): Stufe 4

IEC 61000−4−4 (EFT): 40 A – 5/50 ns (50 A - 5/50 ns für NUP3105L)

IEC 61000-4-5 (Beleuchtung) 8 A (8/20 μs

Entflammbarkeitsklasse UL 94 V-0

SZ-Präfix für Kfz- und andere Anwendungen, die eine einzigartige erfordern

Anforderungen an Standort- und Steuerungsänderungen; AEC-Q101-zertifiziert und

PPAP-fähig

Anwendungen


- Intelligente Verteilungssysteme (SDS)

- Industrielle Steuernetzwerke

Automobilnetzwerke

- Hochgeschwindigkeits- und Niedergeschwindigkeits-CAN

- Fehlertoleranter CAN

Überspannungsableiter, ON Halbleiter


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