onsemi PWM-Controller 1 MHz 11 V 2 A, 7 A. 1-Ausg.
- RS Best.-Nr.:
- 178-4359
- Herst. Teile-Nr.:
- NCP4306DAHZZAASNT1G
- Marke:
- onsemi
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- Herst. Teile-Nr.:
- NCP4306DAHZZAASNT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Schaltfrequenz max. | 1 MHz | |
| Ausgangsspannung | 11 V | |
| Ausgangsstrom | 2 A, 7 A. | |
| Anzahl der Ausgänge | 1 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Abmessungen | 3.1 x 1.7 x 1mm | |
| PWM Controller-Typ | Synchroner Gleichrichter Sekundärseite | |
| Länge | 3.1mm | |
| Breite | 1.7mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Arbeitsspannnung max. | 35 V | |
| Betriebstemperatur max. | +125 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Schaltfrequenz max. 1 MHz | ||
Ausgangsspannung 11 V | ||
Ausgangsstrom 2 A, 7 A. | ||
Anzahl der Ausgänge 1 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Pinanzahl 6 | ||
Abmessungen 3.1 x 1.7 x 1mm | ||
PWM Controller-Typ Synchroner Gleichrichter Sekundärseite | ||
Länge 3.1mm | ||
Breite 1.7mm | ||
Höhe 1mm | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Arbeitsspannnung max. 35 V | ||
Betriebstemperatur max. +125 °C | ||
- Ursprungsland:
- MY
The NCP4306 is high performance driver tailored to control a synchronous rectification MOSFET in switch mode power supplies. Thanks to its high performance drivers and versatility, it can be used in various topologies such as DCM or CCM flyback, quasi resonant flyback, forward and half bridge resonant LLC.
Allows for proper timing of SR MOSFET turn on and turn off
Maximizes conduction time of the MOSFET to increase efficiency
Allows direct connection of CS input to MOSFET drain in flyback applications
Improves performance for applications working in deep CCM
Enters the IC into a low consumption standby mode
Prevents accidental MOSFET turn on or turn off due to ringing
Enhanced Operation for USB-PD Applications
Fast turn off of MOSFET for optimized conduction period
Increased stability coming in and out of Light Load
Wide output operating voltages
Maximizes conduction time of the MOSFET to increase efficiency
Allows direct connection of CS input to MOSFET drain in flyback applications
Improves performance for applications working in deep CCM
Enters the IC into a low consumption standby mode
Prevents accidental MOSFET turn on or turn off due to ringing
Enhanced Operation for USB-PD Applications
Fast turn off of MOSFET for optimized conduction period
Increased stability coming in and out of Light Load
Wide output operating voltages
