Nexperia Silizium-Verbindung Einfach 400 mA 250 V Oberfläche SOT-23 3-Pin

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RS Best.-Nr.:
785-414
Herst. Teile-Nr.:
BAS21,215
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

Silizium-Verbindung

Diodenkonfiguration

Einfach

Maximaler Durchlassstrom If

400mA

Montageart

Oberfläche

Subtyp

Siliziumverbindung

Gehäusegröße

SOT-23

Pinanzahl

3

Spitzensperrverzögerungszeit trr

50ns

Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm

1.7A

Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm

250V

Maximale Durchlassspannung Vf

1.25V

Betriebstemperatur min.

-65°C

Maximale Verlustleistung Pd

250mW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1mm

Länge

3mm

Serie

BAS21

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Lösungen für Hochspannungssysteme. Unsere mittels Planartechnologie hergestellten ≥ 100-V-Dioden liefern eine Schaltgeschwindigkeit von bis zu 4 ns (max.). Sie unterstützen kundenspezifische Schaltungskonstruktionen mit hoher Dichte und sind in hermetisch verschlossenen Gehäusen vergossen.

Hochspannungsschaltdiode, vergossen in einem kleinen SOT23-SMD-Kunststoffgehäuse.

Hohe Schaltgeschwindigkeit: trr ≤ 50 nsNiedriger LeckstromSperrspannung VR ≤ 200 VNiedrige Kapazität: Cd ≤ 5 pFKleines SMD-KunststoffgehäuseZielanwendungsbereicheSchnellschalten bei hoher SpannungHochspannungs-Universal-SchaltenSpannungsklemmeVerpolschutz

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