Nexperia Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip SMD SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin Siliziumverbindung 1.25V

Unterstützt kundenspezifische Schaltungsaufbauten mit hoher Dichte
Typen mit geringem Leckstrom und Hochspannung sind erhältlich
Hohe Schaltgeschwindigkeiten
Niedrige Kapazität

Lösungen für Hochspannungssysteme. Unsere mittels Planartechnologie hergestellten ≥ 100-V-Dioden liefern eine Schaltgeschwindigkeit von bis zu 4 ns (max.). Sie unterstützen kundenspezifische Schaltungskonstruktionen mit hoher Dichte und sind in hermetisch verschlossenen Gehäusen vergossen.

Hochspannungsschaltdiode, vergossen in einem kleinen SOT23-SMD-Kunststoffgehäuse.

Hohe Schaltgeschwindigkeit: trr ≤ 50 nsNiedriger LeckstromSperrspannung VR ≤ 200 VNiedrige Kapazität: Cd ≤ 5 pFKleines SMD-KunststoffgehäuseZielanwendungsbereicheSchnellschalten bei hoher SpannungHochspannungs-Universal-SchaltenSpannungsklemmeVerpolschutz