Vishay Silizium-Diode Einfach 200 mA 200 V Oberfläche SOT-23 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 180-8202
- Herst. Teile-Nr.:
- BAS21-E3-08
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
111,00 €
(ohne MwSt.)
132,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 15. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,037 € | 111,00 € |
| 6000 - 12000 | 0,035 € | 105,00 € |
| 15000 + | 0,033 € | 99,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-8202
- Herst. Teile-Nr.:
- BAS21-E3-08
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Produkt Typ | Silizium-Diode | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 200mA | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Steckschlüssel Zubehör | Siliziumdiode | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1.25V | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 200V | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 2.5A | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 50ns | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 2.6 mm | |
| Höhe | 1.15mm | |
| Länge | 3.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Produkt Typ Silizium-Diode | ||
Maximaler Durchlassstrom If 200mA | ||
Montageart Oberfläche | ||
Steckschlüssel Zubehör Siliziumdiode | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1.25V | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 200V | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 2.5A | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 50ns | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 2.6 mm | ||
Höhe 1.15mm | ||
Länge 3.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay Schaltdiode
Die Vishay Schaltdiode hat eine elektrische Nennleistung von 250 V Rückspannung und 100 nA Rückstrom. Eine Schaltdiode ist eine zweipolige PN-Abzweigvorrichtung, die zum Schalten von Signalen oder als Gleichrichter bei niedrigen Spannungen verwendet werden kann. Er hat einen Durchlassstrom von 200 mA und eine Durchlassspannung von 1,25 V.
Eigenschaften und Vorteile
• Es handelt sich um ein epitaxiales Kleinsignal-Schnellschaltgerät aus Silizium
• Markierungstyp ist A82
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• Die Verlustleistung beträgt 250 mW
• Die Wiederherstellungszeit beträgt 50 ns
• SMD-Gerät
Anwendungen
• Schnelle Schaltgeräte
Zertifizierungen
• AEC-Q101
• E3-zertifiziert
Verwandte Links
- Vishay Silizium-Diode Einfach 200 mA 200 V Oberfläche SOT-23 3-Pin
- Vishay Silizium-Diode Einfach 300 mA 75 V Oberfläche SOT-23 3-Pin
- DiodesZetex Silizium-Verbindung Einfach 400 mA 250 V Oberfläche SOT-23 3-Pin
- onsemi Silizium-Verbindung Einfach 200 mA 200 V Oberfläche SOT-23 3-Pin
- Nexperia Silizium-Verbindung Einfach 200 mA 120 V Oberfläche SOT-23 3-Pin
- onsemi Silizium-Verbindung Einfach 200 mA 100 V Oberfläche SOT-23 3-Pin
- onsemi Silizium-Verbindung Einfach 200 mA 250 V Oberfläche SOT-23 3-Pin
- Vishay Silizium-Verbindung Serie 150 mA 100 V Oberfläche SOT-23 3-Pin
