Vishay Silizium-Diode Einfach 300 mA 75 V Oberfläche SOT-23 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 180-8607P
- Herst. Teile-Nr.:
- BAS16-HE3-08
- Marke:
- Vishay
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Produkt Typ | Silizium-Diode | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 300mA | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Subtyp | Siliziumdiode | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 1A | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 6ns | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 75V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 2.6mm | |
| Höhe | 1.15mm | |
| Länge | 3.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Produkt Typ Silizium-Diode | ||
Maximaler Durchlassstrom If 300mA | ||
Montageart Oberfläche | ||
Subtyp Siliziumdiode | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 1A | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 6ns | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 75V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 2.6mm | ||
Höhe 1.15mm | ||
Länge 3.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die Vishay Kleinsignal-Schnellschaltdiode verfügt über 3 Stifte und Silikondiodentechnologie mit 300 mA maximalem Durchlassstrom.
Epitaxiale planare Siliziumdiode
Extrem schnelle Schaltgeschwindigkeit
SMD-Gehäuse, ideal geeignet für automatisches Einsetzen
Hohe Leitfähigkeit
AEC-Q101-qualifiziert
Sockel P/N-E3 - RoHS-konform, kommerzielle Ausführung
Sockel P/N-HE3 - RoHS-konform, AEC-Q101-zertifiziert