Infineon Silizium-Verbindung Einfach 30 A 650 V Durchsteckmontage TO-247 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 218-4371
- Herst. Teile-Nr.:
- IDW30C65D1XKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
46,08 €
(ohne MwSt.)
54,84 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 30 Einheit(en) mit Versand ab 02. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 1,536 € | 46,08 € |
| 60 - 120 | 1,459 € | 43,77 € |
| 150 - 270 | 1,398 € | 41,94 € |
| 300 - 570 | 1,336 € | 40,08 € |
| 600 + | 1,244 € | 37,32 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-4371
- Herst. Teile-Nr.:
- IDW30C65D1XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Silizium-Verbindung | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 30A | |
| Steckschlüssel Zubehör | Siliziumverbindung | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 92W | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 120A | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 650V | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 71ns | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1.35V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, JEDEC | |
| Breite | 5.21 mm | |
| Höhe | 41.42mm | |
| Länge | 16.13mm | |
| Serie | Rapid1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Silizium-Verbindung | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Maximaler Durchlassstrom If 30A | ||
Steckschlüssel Zubehör Siliziumverbindung | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 92W | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 120A | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 650V | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 71ns | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1.35V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, JEDEC | ||
Breite 5.21 mm | ||
Höhe 41.42mm | ||
Länge 16.13mm | ||
Serie Rapid1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon Rapid 1-Serie Schalt-Emitter-Controller Power Silizium-Diode in gemeinsamer Kathodenkonfiguration und in einem TO-247-Gehäuse, die eine Designoptimierung für kompaktere Abmessungen, einfachere Montage und damit geringere Kosten ermöglicht. Es wird in verschiedenen Anwendungen wie Telekommunikation, USV, Schweißen, Adapter, Haushaltsgeräte und Klimaanlagen eingesetzt. Er hat einen Durchlassstrom von 30 A.
1,35 V temperaturstabile Durchlassspannung
Höchster Weichheitsfaktor für ultimative Weichheit und geringe EMI-Filterung
Niedrige Rückgewinnungsladung
Niedriger Rückstellstrom
Für Anwendungen, die zwischen 18 kHz und 40 kHz wechseln
Verwandte Links
- Infineon Diode Einfach 30A 1 Element/Chip THT 650V TO-247 3-Pin Siliziumverbindung
- Infineon Diode Einfach 40A 1 Element/Chip THT 650V TO-247 3-Pin Siliziumverbindung
- Infineon Diode Einfach 60A 1 Element/Chip THT 650V TO-247 3-Pin Siliziumverbindung
- Infineon Diode Einfach 75A 1 Element/Chip THT 650V TO-247 3-Pin Siliziumverbindung
- Infineon Diode Einfach 80A 1 Element/Chip THT 650V TO-247 3-Pin Siliziumverbindung
- Infineon Diode Einfach 15A 1 Element/Chip THT 650V TO-247 3-Pin Siliziumverbindung
- Infineon Diode Einfach 30A 1 Element/Chip THT 600V TO-247 3-Pin Siliziumverbindung
- Infineon Diode Einfach 1 Element/Chip THT TO-247 3-Pin Siliziumverbindung 2.3V