Power Integrations Schaltdiode Einfach 12A 1 Element/Chip THT 600V TO-220AC 2-Pin SiC-Schottky

RS Best.-Nr.:: 231-8073
Herst. Teile-Nr.:: QH12TZ600Q
Marke:: Power Integrations

Power Integrations Schaltdiode Einfach 12A 1 Element/Chip THT 600V TO-220AC 2-Pin SiC-Schottky

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Herst. Teile-Nr.:: QH12TZ600Q
Marke:: Power Integrations

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Datasheet - QH12TZ600Q

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Die Power Integrations SiC-Ersatzdiode der Serie Qspeed H hat die niedrigste Qrr von jeder 600-V-Siliziumdiode. Seine Wiederherstellungseigenschaften erhöhen die Effizienz, reduzieren elektromagnetische Störungen und beseitigen Stöber. Er ersetzt SiC-Dioden für ähnliche Effizienzleistungen in Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz.

Eigenschaften und Vorteile

Niedriger Qrr, niedriger IRRM, niedriger TRR
Hohe DIF/dt-Fähigkeit (1000 A/μs)
Weiche Erholung
AEC-Q101-qualifiziert
FAB-, Montage- und Prüfbescheinigung gemäß IATF 16949
Keine Notwendigkeit für Klemm-Stromkreise
Reduziert die Größe und Anzahl der EMI-Filterkomponenten
Ermöglicht extrem schnelles Schalten

Anwendungen

Leistungsfaktorkorrektur-Boost-Diode im integrierten Ladegerät
Ausgangsgleichrichter des integrierten Ladegeräts

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Durchlassstrom max.	12A
Diodenkonfiguration	Einfach
Montage-Typ	THT
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Sperrspannung max.	600V
Gehäusegröße	TO-220AC
Diodentechnologie	SiC-Schottky
Pinanzahl	2

RS Best.-Nr.:: 231-8073
Herst. Teile-Nr.:: QH12TZ600Q
Marke:: Power Integrations

Datasheet - QH12TZ600Q