Power Integrations Schaltdiode Einfach 12A 1 Element/Chip THT 600V TO-220AC 2-Pin SiC-Schottky
- RS Best.-Nr.:
- 231-8074P
- Herst. Teile-Nr.:
- QH12TZ600Q
- Marke:
- Power Integrations
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- QH12TZ600Q
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die Power Integrations SiC-Ersatzdiode der Serie Qspeed H hat die niedrigste Qrr von jeder 600-V-Siliziumdiode. Seine Wiederherstellungseigenschaften erhöhen die Effizienz, reduzieren elektromagnetische Störungen und beseitigen Stöber. Er ersetzt SiC-Dioden für ähnliche Effizienzleistungen in Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz.
Eigenschaften und Vorteile
Niedriger Qrr, niedriger IRRM, niedriger TRR
Hohe DIF/dt-Fähigkeit (1000 A/μs)
Weiche Erholung
AEC-Q101-qualifiziert
FAB-, Montage- und Prüfbescheinigung gemäß IATF 16949
Keine Notwendigkeit für Klemm-Stromkreise
Reduziert die Größe und Anzahl der EMI-Filterkomponenten
Ermöglicht extrem schnelles Schalten
Hohe DIF/dt-Fähigkeit (1000 A/μs)
Weiche Erholung
AEC-Q101-qualifiziert
FAB-, Montage- und Prüfbescheinigung gemäß IATF 16949
Keine Notwendigkeit für Klemm-Stromkreise
Reduziert die Größe und Anzahl der EMI-Filterkomponenten
Ermöglicht extrem schnelles Schalten
Anwendungen
Leistungsfaktorkorrektur-Boost-Diode im integrierten Ladegerät
Ausgangsgleichrichter des integrierten Ladegeräts
Ausgangsgleichrichter des integrierten Ladegeräts
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Diodenkonfiguration | Einfach |
| Durchlassstrom max. | 12A |
| Montage-Typ | THT |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Sperrspannung max. | 600V |
| Gehäusegröße | TO-220AC |
| Diodentechnologie | SiC-Schottky |
| Pinanzahl | 2 |