Nexperia Kleinsignaldiode Isoliert 215mA 2 Element/Chip SMD 75V SOT-143 4-Pin Siliziumverbindung 1.25V

Unterstützt kundenspezifische Schaltungsaufbauten mit hoher Dichte
Typen mit geringem Leckstrom und Hochspannung sind erhältlich
Hohe Schaltgeschwindigkeiten
Niedrige Kapazität

Lösungen für Hochspannungssysteme. Unsere mittels Planartechnologie hergestellten ≥ 100-V-Dioden liefern eine Schaltgeschwindigkeit von bis zu 4 ns (max.). Sie unterstützen kundenspezifische Schaltungskonstruktionen mit hoher Dichte und sind in hermetisch verschlossenen Gehäusen vergossen.

Der BAS28 besteht aus zwei mittels Planartechnologie hergestellten Hochgeschwindigkeitsschaltdioden, die im kleinen SMD-SOT143-Gehäuse vergossen sind. Die Dioden sind nicht angeschlossen.

Kleines SMD-KunststoffgehäuseHohe Schaltgeschwindigkeit: max. 4 nsKontinuierliche Sperrspannnug: max. 75 VWiederkehrende Spitzensperrspannung: max. 85 VWiederkehrender Spitzendurchlassstrom: max. 500 mA.ZielanwendungsbereicheHochgeschwindigkeitsschalten, z. B. in oberflächenmontierten Schaltungen.