Toshiba Silizium-Verbindung Einfach 300 mA 85 V Oberfläche SC-59 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 607-9282
- Herst. Teile-Nr.:
- 1SS193(TE85L,F)
- Marke:
- Toshiba
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- RS Best.-Nr.:
- 607-9282
- Herst. Teile-Nr.:
- 1SS193(TE85L,F)
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 300mA | |
| Produkt Typ | Silizium-Verbindung | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Subtyp | Siliziumverbindung | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SC-59 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150mW | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 2A | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 85V | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 4ns | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Länge | 2.9mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Maximaler Durchlassstrom If 300mA | ||
Produkt Typ Silizium-Verbindung | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Subtyp Siliziumverbindung | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SC-59 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150mW | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 2A | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 85V | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 4ns | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Länge 2.9mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- JP
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