onsemi Schaltdiode Gemeinsame Anode 200mA 2 Element/Chip SMD 70V SOT-23 3-Pin Siliziumverbindung 1.25V
- RS Best.-Nr.:
- 781-5165
- Herst. Teile-Nr.:
- SBAW56LT3G
- Marke:
- ON Semiconductor
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- SBAW56LT3G
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Diodenkonfiguration | Gemeinsame Anode | |
| Durchlassstrom max. | 200mA | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Sperrspannung max. | 70V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Diodentechnologie | Siliziumverbindung | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximaler Spannungsabfall | 1.25V | |
| Diodenkapazität max. | 2pF | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 3.04mm | |
| Breite | 1.4mm | |
| Höhe | 1.01mm | |
| Abmessungen | 3.04 x 1.4 x 1.01mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Diodenkonfiguration Gemeinsame Anode | ||
Durchlassstrom max. 200mA | ||
Montage-Typ SMD | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Sperrspannung max. 70V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Diodentechnologie Siliziumverbindung | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximaler Spannungsabfall 1.25V | ||
Diodenkapazität max. 2pF | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 3.04mm | ||
Breite 1.4mm | ||
Höhe 1.01mm | ||
Abmessungen 3.04 x 1.4 x 1.01mm | ||