STMicroelectronics Silizium-Verbindung Einfach 8 A 1200 V Oberfläche TO-263 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 795-9126
- Herst. Teile-Nr.:
- STTH812G-TR
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Silizium-Verbindung | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 8A | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Subtyp | Siliziumverbindung | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 1200V | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 100A | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 2.2V | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 50ns | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Silizium-Verbindung | ||
Maximaler Durchlassstrom If 8A | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Montageart Oberfläche | ||
Subtyp Siliziumverbindung | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 1200V | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 100A | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 2.2V | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 50ns | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
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