Vishay Silizium-Verbindung Einfach 1 A 400 V Oberfläche DO-213AB 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 812-2079
- Herst. Teile-Nr.:
- EGL41G-E3/96
- Marke:
- Vishay
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- EGL41G-E3/96
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 1A | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Produkt Typ | Silizium-Verbindung | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Steckschlüssel Zubehör | Siliziumverbindung | |
| Gehäusegröße | DO-213AB | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 50ns | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1.25V | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 400V | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 30A | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.2mm | |
| Durchmesser | 2.67 mm | |
| Breite | 2.67 mm | |
| Höhe | 2.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Maximaler Durchlassstrom If 1A | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Produkt Typ Silizium-Verbindung | ||
Montageart Oberfläche | ||
Steckschlüssel Zubehör Siliziumverbindung | ||
Gehäusegröße DO-213AB | ||
Pinanzahl 2 | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 50ns | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1.25V | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 400V | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 30A | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.2mm | ||
Durchmesser 2.67 mm | ||
Breite 2.67 mm | ||
Höhe 2.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
Gleichrichter, ultraschnelle Erholzeit, 1 A, Vishay Semiconductor
Vishay-Gleichrichter mit ultraschneller Erholzeit haben sehr schnelle umgekehrte Wiederherstellungszeiten von geringen 15 ns und Spannungen bis zu 1500 V. Zu den typischen Anwendungen gehören Schaltnetzteile mit sehr hoher Frequenz (SMPS), Wechselrichter und Freilaufdioden.
Dioden und Gleichrichter, Vishay Semiconductor
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