Infineon Schaltdiode Gemeinsame Kathode 2 Element/Chip SMD SOT-23 3-Pin Siliziumverbindung 1.25V

RS Best.-Nr.:: 857-8069
Herst. Teile-Nr.:: BAV170E6433HTMA1
Marke:: Infineon

Infineon Schaltdiode Gemeinsame Kathode 2 Element/Chip SMD SOT-23 3-Pin Siliziumverbindung 1.25V

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Dioden mit niedrigem Leckstrom, Infineon

Dioden mit geringem Leckstrom in Einfach- und Zweifachkonfigurationen. Diese Geräte sorgen für deutlich geringere umgekehrte Leckströme als herkömmliche Kleinsignaldioden

Dioden und Gleichrichter, Infineon

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Diodenkonfiguration	Gemeinsame Kathode
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Montage-Typ	SMD
Gehäusegröße	SOT-23
Diodentechnologie	Siliziumverbindung
Pinanzahl	3
Maximaler Spannungsabfall	1.25V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	2.9mm
Breite	1.3mm
Höhe	0.9mm
Abmessungen	2.9 x 1.3 x 0.9mm

RS Best.-Nr.:: 857-8069
Herst. Teile-Nr.:: BAV170E6433HTMA1
Marke:: Infineon

Infineon Schaltdiode Gemeinsame Kathode 2 Element/Chip SMD SOT-23 3-Pin Siliziumverbindung 1.25V

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Dioden mit niedrigem Leckstrom, Infineon

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Dioden mit niedrigem Leckstrom, Infineon

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