TE Connectivity NEOHM SMA-Q, AEC-Q200 Dünnschicht SMD-Widerstand 97.6 kΩ 0.1 % Oberfläche / 1 W ±25 ppm/°C, 0207 Gehäuse

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RS Best.-Nr.:
590-414
Herst. Teile-Nr.:
SMA-Q0207BTCT97K6
Marke:
TE Connectivity
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Marke

TE Connectivity

Widerstand

97.6kΩ

Produkt Typ

SMD-Widerstand

Widerstandstyp

Metallfilm-Präzisionswiderstand

Technologie

Dünnschicht

Gehäusegröße

0207

Toleranz

0.1 %

Verpackungsart

Band und Rolle

Spannung

350V

Nennleistung

1W

Temperaturkoeffizient

±25 ppm/°C

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

AEC-Q200

Betriebstemperatur min.

-55°C

Serie

NEOHM SMA-Q

Maximale Betriebstemperatur

155°C

Anschlussart

Melf 0207

Normen/Zulassungen

AEC-Q200, IEC-60115-1, JIS-C-5201-1, RoHS, UL-94 V-0 or V-1

Breite

3mm

Ursprungsland:
TW
Der Metallfilm-Präzisionswiderstand MELF von TE Connectivity definiert Stabilität und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Anwendungen neu. Dieses fortschrittliche Bauteil verfügt über die AEC-Q200-Qualifikation, die sicherstellt, dass es die strengen Automobilstandards erfüllt und gleichzeitig eine außergewöhnliche Leistung bietet. Der SMA-Q ist für die Oberflächenmontage konzipiert und zeichnet sich durch eine robuste Konstruktion, eine erhöhte Feuchtigkeitsbeständigkeit und eine hochwertige Beschichtung aus. Mit einer Nennleistung von bis zu 1 Watt ist dieser Widerstand eine ideale Lösung für Anwendungen in der Automobilindustrie, der Industrie und in medizinischen Komponenten. Der Einsatz der Dünnschichttechnologie führt zu einer längeren Lebensdauer und einer höheren Präzision, so dass er die perfekte Wahl für alle ist, die höchste Genauigkeit bei den Widerstandswerten benötigen.

AEC-Q200-qualifiziert für Automobilanwendungen

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe MSL1 für zuverlässige Leistung

Hochstabiler Temperaturkoeffizient reduziert Drift

Bleifrei und RoHS-konform für mehr Umweltsicherheit

Außergewöhnliche Belastbarkeit für anspruchsvolle Schaltungen

Unempfindlich gegen ESD, wenn er in der Originalverpackung aufbewahrt werden

Verbesserte Beschichtung verbessert den Schutz vor äußeren Einflüssen

Optimiert für die Integration in kompakte Designs mit SMD-Struktur

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