TE Connectivity NEOHM SMA-Q, AEC-Q200 Dünnschicht SMD Festwiderstand 215 Ω 0.1 % Oberfläche / 0.3 W ±25 ppm/°C, 0102

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RS Best.-Nr.:
590-484
Herst. Teile-Nr.:
SMA-Q0102BTCL215R
Marke:
TE Connectivity
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Marke

TE Connectivity

Produkt Typ

SMD Festwiderstand

Widerstand

215Ω

Widerstandstyp

Metallfilm-Präzisionswiderstand

Technologie

Dünnschicht

Gehäusegröße

0102

Verpackungsart

Band und Rolle

Toleranz

0.1 %

Nennleistung

0.3W

Spannung

20V

Temperaturkoeffizient

±25 ppm/°C

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

AEC-Q200

Betriebstemperatur min.

-55°C

Serie

NEOHM SMA-Q

Maximale Betriebstemperatur

155°C

Breite

1.1mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Anschlussart

Melf 0102

Länge

2.2mm

Ursprungsland:
TW
Der hochmoderne Metallfilm-Präzisions-MELF-Widerstand von TE Connectivity wurde speziell für SMD-Anwendungen entwickelt. Dieses innovative Bauteil zeichnet sich durch seine enge Toleranz und seinen niedrigen Temperaturkoeffizienten aus und gewährleistet eine unübertroffene Leistung in verschiedenen Umgebungen. Er erfüllt die AEC-Q200-Qualifikation und bietet durch seine verbesserte Beschichtung einen erhöhten Feuchtigkeitsschutz, wodurch er sich ideal für Automobil- und Industrieanwendungen eignet. Durch seine Bleifreiheit und RoHS-Konformität steht dieser Widerstand nicht nur für Leistung, sondern auch für umweltbewusste Herstellungspraktiken. Ob in medizinischen Komponenten, in der Telekommunikation oder in der Messtechnik - dieser Widerstand garantiert Zuverlässigkeit und Stabilität auch in anspruchsvollen Szenarien.

AEC-Q200-Qualifikation garantiert eine hohe Zuverlässigkeit in Automobilanwendungen

Robuste Konstruktion schützt vor Feuchtigkeit und Nässeschäden

Die Dünnschichttechnologie verbessert die Präzision und Stabilität der Leistung

Bleifrei und RoHS-konform für umweltfreundlichen Betrieb

Enge Toleranzen helfen bei der Aufrechterhaltung der Schaltkreisintegrität

Niedriger Temperaturkoeffizient minimiert die Leistungsdrift über den Temperaturbereich

Entwickelt für die Oberflächenmontage, um die Platznutzung auf der Leiterplatte zu optimieren

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