Vishay CHEP0402, AEC-Q200 Dünnschicht SMD Festwiderstand 50 Ω 0.02 Oberfläche / 0.3 W ±100 ppm/°C, 0402 Gehäuse
- RS Best.-Nr.:
- 799-748
- Herst. Teile-Nr.:
- CHEP0402-50RGFTD
- Marke:
- Vishay
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | SMD Festwiderstand | |
| Widerstand | 50Ω | |
| Technologie | Dünnschicht | |
| Widerstandstyp | Dünnschichtwiderstand | |
| Gehäusegröße | 0402 | |
| Verpackungsart | Band und Rolle | |
| Toleranz | 0.02 | |
| Nennleistung | 0.3W | |
| Spannung | 37V | |
| Temperaturkoeffizient | ±100 ppm/°C | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | AEC-Q200 | |
| Serie | CHEP0402 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Höhe | 600μm | |
| Breite | 600μm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 1mm | |
| Anschlussart | Flip-Chip | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ SMD Festwiderstand | ||
Widerstand 50Ω | ||
Technologie Dünnschicht | ||
Widerstandstyp Dünnschichtwiderstand | ||
Gehäusegröße 0402 | ||
Verpackungsart Band und Rolle | ||
Toleranz 0.02 | ||
Nennleistung 0.3W | ||
Spannung 37V | ||
Temperaturkoeffizient ±100 ppm/°C | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard AEC-Q200 | ||
Serie CHEP0402 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Höhe 600μm | ||
Breite 600μm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 1mm | ||
Anschlussart Flip-Chip | ||
- Ursprungsland:
- FR
Der Hochfrequenz- und Hochleistungs-Dünnschicht-Chipwiderstand von Vishay wurde für fortschrittliche elektronische Anwendungen entwickelt und ermöglicht eine effiziente Signalverarbeitung und ein effizientes Energiemanagement in kompakten Designs.
Die Betriebsfrequenz erreicht bis zu 50 GHz, wodurch die Signaltreue verbessert wird
Erhältlich in einem Widerstandsbereich von 20 Ohm bis 120 Ohm für vielseitigen Einsatz
Hohe Leistungskapazität von 1,2 W gewährleistet Effektivität in dichten Schaltkreisen
Minimale interne Reaktanz für verbesserte Leistung in Hochfrequenzanwendungen
