TE Connectivity Dünnschicht SMD-Widerstand 80.6Ω ±1% / 2W, 1206 (3216M) Gehäuse
- RS Best.-Nr.:
- 252-7648
- Herst. Teile-Nr.:
- 3503G2B80R6FTDF
- Marke:
- TE Connectivity
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- 252-7648
- Herst. Teile-Nr.:
- 3503G2B80R6FTDF
- Marke:
- TE Connectivity
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- TW
Produktdetails
Der Dünnschicht-Leistungswiderstand von TE Connectivity hat eine hohe Stabilität. Dieser Chip-Leistungswiderstand bietet eine sehr hohe Leistung von 2 W in der Größe 1206. Die Widerstandstoleranz beträgt standardmäßig ±1 %. Die Widerstände verfügen über genaue und einheitliche Abmessungen, um Methoden der automatischen Platzierung zu erleichtern.
Hohe Wärmeleitfähigkeit
Aluminiumnitrid-Substrat
TCR ±50 ppm/°C
Aluminiumnitrid-Substrat
TCR ±50 ppm/°C
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Widerstand | 80.6Ω |
| Technologie | Dünnschicht |
| Gehäuse-Form | 1206 (3216M) |
| Toleranz | ±1% |
| Leistung | 2W |
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